Terdapat sebuah penelitian dari para ilmuwan University of Sydney mengklaim telah kembangkan teknologi yang akan perpanjang umur dari elektronik perangkat. Hal ini menandai langkah signifikan dalam bidang ilmu material, untuk pertama kalinya memberikan gambaran lengkap terjadinya kelelahan pada materail feroelektrik.
Bahan feroelektrik dipakai di banyak perangkat, termasuk memori, sensor, aktuator, dan kapasitor. Perangkat ini umumnya dipakai di kedua konsumen dan industri instrumen, seperti komputer, peralatan USG medis dan sonars bawah air.
Seiring waktu, bahan feroelektrik mengalami pembebanan mekanis dan listrik berulang, yang menyebabkan penurunan bertahap dalam fungsinya, yang akhirnya mengakibatkan kegagalan. Proses ini diklaim sebagai 'kelelahan feroelektrik'.
Ini adalah penyebab utama kegagalan berbagai perangkat elektronik, dengan elektronik buangan sebagai kontributor utama limbah elektronik. Secara global, puluhan juta ton perangkat elektronik yang gagal dibuang ke TPA setiap tahunnya.
Dengan memakai mikroskop elektron in-situ yang canggih, para peneliti dapat mengamati kelelahan feroelektrik yang terjadi. Teknik ini menggunakan mikroskop canggih untuk 'melihat', secara real-time hingga ke tingkat skala nano dan atom. Melihat hal itu, rekan penulis Profesor Xiaozhou Liao, juga dari Institut Nano Universitas Sydney memberikan komentarnya.
"Penemuan kami merupakan terobosan ilmiah yang signifikan karena menunjukkan gambaran yang jelas tentang bagaimana proses degradasi feroelektrik hadir pada skala nano," ungkapnya.
Selain itu, terdapat sejumlah peneliti juga memberikan komentarnya atas penelitian yang satu ini.
"Meskipun telah lama diketahui bahwa kelelahan feroelektrik dapat memperpendek umur dari elektronik perangkat , bagaimana hal itu terjadi sebelumnya belum dipahami dengan baik, karena kurangnya teknologi yang cocok untuk mengamati itu. " ungkap Dr Qianwei Huang.
"Dengan ini, kami berharap dapat lebih menginformasikan rekayasa perangkat dengan umur yang lebih lama ." ungkap Dr Zibin Chen.
"Penemuan kami menunjukkan bahwa antarmuka sebenarnya dapat mempercepat degradasi feroelektrik. Oleh karena itu, pemahaman yang lebih baik tentang proses ini diperlukan untuk mencapai kinerja terbaik perangkat ," kata Dr Chen.
